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用于太赫兹应用的高分子复合层新材料

用于太赫兹应用的高分子复合层新材料 用于太赫兹应用的高分子复合层新材料

太赫兹及毫米波国家重点实验室设计光子闪存器件,其中的红外光(IR)被用于数据加密以及施加电压偏压。在薄膜晶体管的存储器架构,大部分的有机或无机半导体几乎不吸收红外区域的光,这是由于它们典型的光子能量带隙。上变频(UC)描述了一种非线性光学方法,其中UC材料产生对于每两个或更多个低能量激发光子的一个高能量光子。事实证明把UC材料用于光学操纵有广泛的应用,比如固态激光器、太阳能转换、光存储、癌症治疗以及生物标记与成像。这里,太赫兹及毫米波国家重点实验室利用宽带隙的UC材料作为纳米灯,其可见光激发增强了存储器器件有源层的电荷密度。通过红外光的吸收,高能量光子被UC材料激发。最终,来自UC材料的高能量辐射被有源半导体层再吸收,多个光激子在有源层被生成,其最终影响电荷捕捉的效率和数据存储的水平。通过增加高分子复合材料层的电荷,我们操纵介质对于光的介电常数。使用可调的介电常数,我们的目标是获得一个可调的太赫兹光子器件。