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大量的有源器件（二極管與晶體管）的非線性特性研究可用於改善信號放大及變頻電路的線性及功率特性。我們已提出採用單個二極管（包括正、反偏結構）的非線性特性和應用反平行可重構晶體管對失真進行補償。此外，考慮到集成了緊縮微帶諧振單元(CMRC)的功率放大器具有的線性改善效果，更能突出帶外終止對於互調反應的重要性。在功率放大器技術方面，我們研發出一種自適應的偏置技術，配合適當的諧波終端，用作互調失真最佳狀態的控制，以發展嶄新電路的線性化技術。
有著微波電路設計上純熟的操作技術及豐富的實際經驗，我們的發明已在工業矽基(CMOS；BiCMOS)與III—V族化合物半導體(GaAs)的使用過程中得到了驗證。高效能功率放大器、混頻器及天線開關亦已在ISM頻段中得到應用。我們正研究在GaAs集成電路上應用納米CMOS及多層後處理，以研發基於毫米波和11 太赫茲的單片集成電路。
天線