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用於光子學和太赫茲應用的等離子體器件

35nm Diameter Dots 10nm Wide Lines Crestec CABL 9000C High-resolution Electron Beam Lithography System
35nm Diameter Dots 10nm Wide Lines Crestec CABL 9000C High-resolution Electron Beam Lithography System

表面等離子體極化(SPPs)可以參考電磁波被耦合到在介質和導體作為之間的充電載體,電磁波沿邊界面傳播。探索、激勵和控制SPPs被稱為等離子學。導體的歐姆損失、介質吸收以及散散是由於表面上的不均勻性影響了等離子體的傳播。通過使用納米技術,我們來創造一些自然界材料所沒有的電磁特性,比如電子束光刻,亞波長等離子體納米結構。電磁波能被牢牢地限制住並得到極大地增強。它們可以被我們用傳統器件所不可能的方式操縱。在一系列的科學和工程學科相關的物理和潛在應用已經產生了很多跨學科研究。在SKLMW,我們在設計、製造並研究從太赫茲到可見光頻率的等離子器件。