用於太赫茲應用的高分子復合層新材料

太赫茲及毫米波國家重點實驗室設計光子閃存器件，其中的紅外光(IR)被用於數據加密以及施加電壓偏壓。在薄膜晶體管的存儲器架構，大部分的有機或無機半導體幾乎不吸收紅外區域的光，這是由於它們典型的光子能量帶隙。上變頻(UC)描述了一種非線性光學方法，其中UC材料產生對於每兩個或更多個低能量激發光子的一個高能量光子。事實證明把UC材料用於光學操縱有廣泛的應用，比如固態激光器、太陽能轉換、光存儲、癌症治療以及生物標記與成像。這裡，太赫茲及毫米波國家重點實驗室利用寬帶隙的UC材料作為納米燈，其可見光激發增強了存儲器器件有源層的電荷密度。通過紅外光的吸收，高能量光子被UC材料激發。最終，來自UC材料的高能量輻射被有源半導體層再吸收，多個光激子在有源層被生成，其最終影響電荷捕捉的效率和數據存儲的水平。通過增加高分子復合材料層的電荷，我們操縱介質對於光的介電常數。使用可調的介電常數，我們的目標是獲得一個可調的太赫茲光子器件。